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產(chǎn)品名稱: VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器
產(chǎn)品型號: VLF-40/1.1
產(chǎn)品展商: 上?？档请姎饪萍加邢薰?/span>
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔
簡單介紹
VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器是接合了現(xiàn)代數(shù)字變頻先進技術(shù)，采用微機控制，升壓、降壓、測量、保護完全自動化，并且在自動升壓過程中能進行人工干預。
VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器
的詳細介紹
VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器結(jié)合了現(xiàn)代數(shù)字變頻先進技術(shù)，采用微機控制，升壓、降壓、測量、保護完全自動化。由于全電子化，所以體積小重量輕、大屏幕液晶顯示，清晰直觀、且能顯示輸出
波形、打印試驗報告。設(shè)計指標完全符合《電力設(shè)備專用測試儀器通用技術(shù)條件，第4部分：超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件》電力行業(yè)標準，使用十分方便。
現(xiàn)在國內(nèi)外均采用機械式的辦法進行調(diào)制和解調(diào)產(chǎn)生超低頻信號，所以存在正弦波波形不標準，測量誤差大，高壓部分有火花放電，設(shè)備笨重，而且正弦波的二，四
象限還需要大功率高壓電阻進行放電整形，所以設(shè)備的整體功耗較大。從國內(nèi)外多年的理論和實踐證明，用0.1Hz超低頻耐壓試驗替代工頻耐壓試驗，不但能有
同樣的等效性，而且設(shè)備的體積大為縮小，重量大為減輕
，理論上容量約為工頻的五百分之一，且操作簡單，與工頻試驗相比優(yōu)越性更多。這就是為什么發(fā)達國家普遍采用這一方法的原因。
國家發(fā)改委已制定了《35kV及以下交聯(lián)聚乙烯絕緣電力電纜超低頻（0.1Hz）耐壓試驗方法》行業(yè)標準。我國正在推廣這一方法，本儀器是根據(jù)我國這一需要**而成的?？蓮V泛用于電纜、大型高壓旋轉(zhuǎn)電機的交流耐壓試驗之中。
VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品別名
程控超低頻高壓發(fā)生器、 超低頻高壓發(fā)生器、光控超低頻高壓發(fā)生器、 0.1hz超低頻高壓發(fā)生器、 0.1hz程控超低頻高壓發(fā)生器
VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器
儀器特點
1、額定電壓小于或等于50kV的超低頻采用單聯(lián)結(jié)構(gòu)（一臺升壓器）；大于50kV的超低頻采用串聯(lián)結(jié)構(gòu)（兩臺升壓器串聯(lián)），使整體重量大大減輕，帶載能力增強，而且兩臺升壓器可單獨作低電壓等級的超低頻使用。
2、電流、電壓、波形數(shù)據(jù)均直接從高壓側(cè)采樣獲得，所以數(shù)據(jù)準確。
3、具有過壓保護功能，當輸出超過所設(shè)定的限壓值時，儀器將停機保護，動作時間小于20ms。
4、具有過流保護功能：設(shè)計為高低壓雙重保護，高壓側(cè)可按設(shè)定值進行**停機保護；低壓側(cè)的電流超過額定電流時將進行停機保護，動作時間都小于20ms。
5、高壓輸出保護電阻設(shè)計在升壓體內(nèi)，所以外面不需另接保護電阻。
6、由于采用了高低壓閉環(huán)負反饋控制電路，所以輸出無容升效應。
VLF-40/1.1超低頻高壓發(fā)生器技術(shù)參數(shù)
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型 號
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額定電壓
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帶載能力
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電源保險管
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產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、重量
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VLF-30/1.1
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30kV
（峰值）
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0.1Hz,≤1.1μF
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5A
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控制器：4㎏
升壓器：25㎏
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0.05Hz,≤2.2μF
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0.02Hz,≤5.5μF
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VLF-40/1.1
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30kV
（峰值）
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0.1Hz,≤1.1μF
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6A
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控制器：4㎏
升壓器：35㎏
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0.05Hz,≤2.2μF
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0.02Hz,≤5.5μF
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VLF-50/1.1
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50kV
（峰值）
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0.1Hz,≤1.1μF
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7A
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控制器：4㎏
升壓器：50㎏
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0.05Hz,≤2.2μF
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0.02Hz,≤5.5μF
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VLF-60/1.1
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60kV
（峰值）
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0.1Hz,≤1.1μF
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10A
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控制器：4㎏
**升壓器（30kV）：25㎏
二級升壓器（30kV）：45㎏
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0.05Hz,≤2.2μF
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0.02Hz,≤5.5μF
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VLF-70/0.5
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70kV
（峰值）
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0.1Hz,≤0.5μF
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10A
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控制器：4㎏
**升壓器（30kV）：25㎏
二級升壓器（40kV）：50㎏
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0.05Hz,≤1μF
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0.02Hz,≤2.5μF
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VLF-80/0.5
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80kV
（峰值）
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0.1Hz,≤0.5μF
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12A
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控制器：4㎏
**升壓器（30kV）：25㎏
二級升壓器（50kV）：50㎏
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0.05Hz,≤1μF
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0.02Hz,≤2.5μF
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